Gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc Samsung vừa bị Tòa án liên bang Mỹ cáo buộc đã vi phạm bằng sáng chế công nghệ chip di động và hãng đang đối diện mức án phạt kỷ lục, lên tới 1,2 tỷ USD.
Theo đó, Tòa án liên bang Mỹ đã cáo buộc Samsung đã vi phạm bằng sáng chế của Viện Khoa học và Công nghệ Tiên tiến Hàn Quốc (KAIST IP US), do có liên quan đến công nghệ FinFET dành cho chip xử lý trên các điện thoại di động, theo trang tin công nghệ PhoneArena.
Án phạt này vừa được đưa ra hôm nay (18/6), khi Samsung đã cố tình sử dụng tài sản trí tuệ từ công ty khác khi chưa được họ cho phép.
 |
| Samsung đối diện án phạt lên tới 1,2 tỷ USD do vi phạm bằng sáng chế chip di động. Ảnh chỉ để minh họa. |
Cũng theo PhoneArena, ban đầu số tiền Samsung phải trả cho KAIST IP US chỉ là 400 triệu USD. Nhưng Tòa án liên bang Mỹ cho rằng, hãng điện tử công nghệ Hàn Quốc này "đã cố tình vi phạm", nên mức tiền phạt tăng gấp 3 lần, lên 1,2 tỷ USD.
Ngoài Samsung, Qualcomm và GlobalFoundries Inc cũng bị phát hiện đã có những vi phạm tương tự, nhưng hai công ty này "đã tìm cách thoát án" và không bị phạt tiền.
Cụ thể, hồ sơ ban đầu đã ghi rằng, Samsung không sử dụng FinFET vì cho rằng đây chỉ là công nghệ nhất thời, nhưng sau đó thay đổi quyết định khi Intel có bản quyền sản xuất chip dùng FinFET. Samsung sau đó phủ nhận cáo buộc, tuyên bố đã hợp tác cùng KAIST IP US để phát triển FinFET đồng thời đang xem xét kháng cáo.
Công nghệ FinFET là bóng bán dẫn dùng trong thiết kế chip xử lý, sử dụng cổng điện cực có hình dáng giống vây cá (từ "fin" trong tiếng Anh nghĩa là vây cá). Công nghệ này giúp mở nhiều cổng trên một bóng bán dẫn, cho phép cải thiện hiệu năng, giảm lượng điện tiêu thụ trên những con chip nhỏ hơn.
Cũng có liên quan đến bằng sáng chế, vào hồi tháng 5 vừa qua, công ty Hàn Quốc này cũng đã bị tòa án Mỹ yêu cầu trả 538,6 triệu USD cho Apple, vì vi phạm một số bằng sáng chế liên quan đến iPhone.
CÙNG CHUYÊN MỤC
