Mục tiêu của Nga là tạo ra một thiết bị EUV ít tốn kém và ít phức tạp hơn so với hệ thống của ASML. Các máy in này sẽ sử dụng tia laser hoạt động ở bước sóng 11,2 nanomet, thay vì bước sóng chuẩn 13,5 nm mà ASML đang sử dụng. Tuy nhiên, bước sóng mới này sẽ không tương thích với cơ sở hạ tầng EUV hiện có, buộc Nga phải phát triển một hệ sinh thái EUV hoàn toàn mới, điều này có thể mất nhiều năm, thậm chí cả thập kỷ.
Dự án này do Nikolay Chkhalo từ Viện Vật lý vi cấu trúc thuộc Viện Hàn lâm Khoa học Nga dẫn dắt. Mục tiêu là xây dựng các máy EUV có hiệu suất cạnh tranh, đồng thời giảm chi phí sản xuất và vận hành so với các công cụ của ASML. Khác với hệ thống quang khắc EUV của ASML, máy quét EUV của Nga sẽ sử dụng nguồn laser dựa trên xenon với bước sóng 11,2 nm mang lại cải thiện 20% về độ phân giải, cho phép tạo ra chi tiết tốt hơn và giảm chi phí cho các thành phần quang học.
Mặc dù máy in thạch bản của Nga sẽ có năng suất thấp hơn khoảng 2,7 lần so với máy của ASML do sử dụng nguồn sáng 3,6 kW, nhưng hiệu suất này vẫn được coi là đủ cho sản xuất quy mô nhỏ. Tuy nhiên, việc chuyển sang bước sóng 11,2 nm không phải là một điều chỉnh đơn giản vì tất cả các thành phần quang học như gương, lớp phủ và chất cản quang sẽ cần được thiết kế lại để tương thích với bước sóng mới.
Những chiếc máy EUV của Nga hứa hẹn sẽ giúp thế giới bán dẫn bớt phụ thuộc vào ASML.
Quá trình phát triển máy in thạch bản sẽ diễn ra qua ba giai đoạn. Giai đoạn đầu tiên tập trung vào nghiên cứu cơ bản và thử nghiệm các công nghệ chính. Giai đoạn thứ hai sẽ tạo ra một nguyên mẫu có khả năng xử lý 60 tấm wafer 200 mm mỗi giờ và tích hợp vào dây chuyền sản xuất chip trong nước. Giai đoạn cuối cùng nhằm mục tiêu cung cấp một hệ thống sẵn sàng cho nhà máy, có khả năng xử lý 60 tấm wafer 300 mm mỗi giờ. Tuy nhiên, lộ trình này chưa chỉ định mốc thời gian cụ thể cho từng giai đoạn.
Việc phát triển hệ sinh thái quang khắc EUV mới với bước sóng 11,2 nm sẽ là một thách thức lớn đối với Nga, có thể kéo dài hàng thập kỷ trước khi hoàn thiện.
CÙNG CHUYÊN MỤC
