Intel Foundry vừa đánh dấu cột mốc quan trọng trong kỷ nguyên sản xuất bán dẫn, với việc hoàn thiện máy quang khắc siêu cực tím (Extreme Ultraviolet, viết tắt là EUV) sử dụng công nghệ khẩu độ số học lớn (High Numerical Aperture, viết tắt là High NA) thương mại đầu tiên trong ngành bán dẫn, được đặt tại nhà máy của Intel ở Hillsboro, Oregon, Mỹ.
Được phát triển bởi công ty sản xuất thiết bị quang khắc ASML, hệ thống High NA EUV của Intel hiện đang trong quá trình hiệu chuẩn để sẵn sàng cho lộ trình sản xuất sắp tới của hãng. Điểm nổi bật của hệ thống nằm ở khả năng thu nhỏ các chi tiết trên những thế hệ vi xử lý tiếp theo, nhờ thiết kế quang học tiên tiến cho việc in bản mạch lên các tấm bán dẫn silicon (wafer) trở nên chính xác hơn, làm tiền đề cho sự ra đời của những bộ vi xử lý thế hệ mới mạnh mẽ hơn.
“Với việc áp dụng công nghệ High NA EUV, Intel là đơn vị sở hữu hệ thống quang khắc toàn diện nhất trong ngành. Điều này giúp chúng tôi phát triển những tiến trình tương lai vượt trội hơn Intel 18A trong nửa sau của thập kỷ này”, Intel cho biết.
Trước đó, ASML đã công bố việc dùng phương pháp quang khắc để tạo ra các đường mạch chỉ dày 10 nanomet (nm) đầu tiên tại phòng thí nghiệm High NA tại trụ sở chính ở Veldhoven, Hà Lan. Đây là những đường mạch tối ưu nhất được in ra từ trước đến nay, thiết lập kỷ lục thế giới về độ phân giải tạo ra từ hệ thống quét quang khắc siêu cực tím (EUV lithography scanner).
Những hình ảnh ấn tượng đã được in ra sau khi bộ phận quang học, cảm biến và bệ đỡ của hệ thống hoàn thành vòng hiệu chuẩn ban đầu. Đây là bước đệm quan trọng để hệ thống hoạt động với công suất tối đa. Khả năng in các đường mạch chỉ dày 10nm của ASML với hệ thống quang khắc toàn trường (full field) có thể được xem là bước ngoặt quan trọng trong việc đưa công nghệ High NA EUV vào các hoạt động thương mại.
Bằng việc kết hợp với các tiến trình tiên tiến khác của Intel Foundry, công nghệ High NA EUV có khả năng in ra các chi tiết với kích thước nhỏ hơn 1,7 lần so với các công cụ EUV hiện hành. Điều này giúp thu nhỏ các chi tiết 2D, nâng mật độ bóng bán dẫn cao hơn 2,9 lần. Nhờ đó, Intel tiếp tục đi đầu trong việc phát triển các vi mạch có kích thước nhỏ hơn, mật độ cao hơn, góp phần phát triển định luật Moore trong lĩnh vực sản xuất bán dẫn.
So với 0.33NA EUV, công nghệ High NA EUV (hoặc 0.55NA EUV) mang lại độ tương phản hình ảnh cao hơn trên cùng chi tiết. Qua đó, công nghệ này sử dụng ít ánh sáng hơn trong mỗi lần phơi sáng nhằm giảm thời gian cần thiết để in từng lớp và tăng sản lượng tấm bán dẫn.
Intel dự kiến sử dụng đồng thời cả hai hệ thống 0.33NA EUV và 0.55NA EUV cùng với các hệ thống quang khắc khác trong phát triển và sản xuất ra những sản phẩm chip tân tiến hơn, bắt đầu với việc thử nghiệm trên tiến trình Intel 18A vào năm 2025, tiếp tục được áp dụng vào sản xuất tiến trình Intel 14A. Bằng phương pháp này, Intel hướng tới tối ưu hóa chi phí và hiệu năng cho công nghệ sản xuất tiên tiến của mình.
CÙNG CHUYÊN MỤC
