Một nhóm các nhà nghiên cứu tại Trung Quốc đã phát triển một loại vật liệu sắt điện mới, đánh dấu một bước đột phá trong công nghệ lưu trữ dữ liệu. Loại vật liệu này cho phép sản xuất chip lưu trữ bộ nhớ với tuổi thọ gần như vô hạn, hứa hẹn sẽ giảm chi phí đáng kể cho các trung tâm dữ liệu, ngành công nghiệp hàng không vũ trụ và thám hiểm biển sâu.
Vật liệu sắt điện được biết đến với khả năng phân cực dưới tác động của điện trường và giữ nguyên trạng thái này ngay cả khi điện trường bị loại bỏ, làm cho nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho việc sản xuất chip lưu trữ. Điểm nổi bật của vật liệu mới này là khả năng chống mỏi sắt điện, một hiện tượng thường gây suy giảm hiệu suất chip theo thời gian do sự di chuyển và tích tụ khiếm khuyết khi dòng điện chạy qua.
Phó Giáo sư He Ri của viện CAS, tác giả đầu tiên của nghiên cứu, đã so sánh quá trình này với việc sóng biển dần dần tạo thành rạn san hô lớn chặn dòng chảy. Nhưng với việc sử dụng công nghệ mô phỏng cấp độ nguyên tử do AI hỗ trợ, nhóm nghiên cứu đã phát triển vật liệu sắt điện trượt hai chiều 3R-MoS2, có kích thước chỉ vài nanomet.
Các thử nghiệm trong phòng thí nghiệm cho thấy 3R-MoS2 không bị suy giảm hiệu suất sau hàng triệu chu kỳ đọc-ghi, điều này cho thấy khả năng sử dụng vật liệu này trong việc sản xuất các thiết bị lưu trữ dữ liệu không bị giới hạn đọc/ghi. Điều này không những làm tăng độ bền của chip lưu trữ mà còn mở ra khả năng ứng dụng trong các môi trường khắc nghiệt, đặc biệt là trong ngành công nghiệp hàng không vũ trụ và thám hiểm biển sâu, nơi độ bền và độ chính xác là cực kỳ quan trọng.
Với phát triển này, có thể thấy rằng các vật liệu sắt điện truyền thống như chì zirconat titanate (PZT) có thể sớm được thay thế bằng loại vật liệu mới này, đem lại lợi ích vượt trội về mặt hiệu suất và độ bền cho ngành công nghệ lưu trữ dữ liệu.
CÙNG CHUYÊN MỤC
