Theo cập nhật mới nhất từ nhà phát triển công cụ benchmark hiệu năng bộ xử lý lừng danh Geekbench, nhiều thông tin quan trọng về chiếc smartphone cao cấp Galaxy Note 9 đã chính thức lộ thêm. Cụ thể, qua đặc tả kỹ thuật mà Geekbench tiết lộ, có thể nhận thấy chiếc Galaxy Note 9 (tên mã SM-N960U) mang trên mình nội lực khủng của BXL Qualcomm Snapdragon 845.
Bên cạnh đó, Galaxy Note 9 cũng được tiết lộ sẽ sở hữu RAM dung lượng 6GB và có điểm số hiệu năng BXL cao hơn chiếc Galaxy S9 vốn đạt 8.420 điểm trong phép thử hiệu năng đa nhân và 2.390 điểm trong phép thử hiệu năng đơn nhân. Tuy nhiên, kết quả hiệu năng mà Geekbench cung cấp cho thấy hiệu suất BXL Qualcomm Snapdragon 845 trang bị cho Galaxy Note 9 không “ngon” như mẫu SoC Exynos 9810 trang bị cho Galaxy S9 (8.894 điểm multi-core và 3.648 điểm single-core).
 |
| Đặc tả kỹ thuật rò rỉ được khẳng định là của chiếc Galaxy Note 9 sắp ra mắt. |
Được biết, làng smartphone gần đây cũng rộ thông tin Galaxy Note 9 sẽ được tích hợp bảo mật vân tay dưới màn hình tựa như sản phẩm của Vivo. Samsung Galaxy Note 9 cũng được kỳ vọng sẽ trang bị pin dung lượng cao hơn mức 3.300mAh trên người tiền nhiệm Galaxy Note 8.
Như KenhTinGame từng thông tin, mẫu smartphone cao cấp Galaxy Note 8 được Samsung trang bị màn hình Super AMOLED căng tràn vô cực kích thước 6,3inch (hỗ trợ độ phân giải 2960x1440 pixel) Quad HD+ Super AMOLED, thiết kế chống nước theo chuẩn IP68. Galaxy Note 8 cũng được trang bị kèm bút cảm ứng S Pen cải tiến, mang lại sự tự do gần như tối đa trong việc tương tác với điện thoại. Cụ thể hơn, theo thông tin từ nhà sản xuất, S Pen sử dụng đầu bút mảnh hơn, cải thiện độ nhạy và các tính năng cho phép người dùng thể hiện mình theo những cách mà gần như không có bất kỳ một chiếc bút stylus hoặc điện thoại thông minh nào làm được.
CÙNG CHUYÊN MỤC
