Samsung bắt đầu sản xuất RAM DDR4 10nm thế hệ thứ 2

Bộ nhớ RAM DDR4 10nm thế hệ thứ 2 của Samsung được đảm bảo có hiệu suất cao hơn 10% và tiết kiệm năng lượng hơn 15% so với thế hệ RAM DDR4 10nm từng giới thiệu.

Samsung vừa chính thức tuyên bố bắt tay vào sản xuất hàng loạt chip RAM DDR4 10nm class 8Gb (Gigabit) thế hệ thứ 2 hứa hẹn sẽ là nền tảng phát triển cho RAM DDR4 trong tương lai. Theo Samsung, thế hệ chip RAM DDR4 10nm class 8Gb mới của hãng có ưu điểm là kích thước cực kỳ nhỏ gọn, nhưng lại cho khả năng tiết kiệm điện và hiệu suất cao hơn thế hệ chip RAM DDR4 10nm class 8 thế hệ đầu tiên.

Bộ nhớ RAM DDR4 10nm class 8Gb thế hệ thứ 2.

Cụ thể hơn, Samsung khẳng định chip RAM DDR4 10nm class 8Gb thế hệ thứ 2 so với thế hệ đầu tiên có thể cho hiệu suất cao hơn 10% và tiết kiệm hơn 15% năng lượng trong khi vận hành. Samsung cũng cho biết thêm rằng mỗi chân của chip nhớ DDR4 10nm class 8Gb thế hệ thứ 2 này có thể hoạt động ở tốc độ 3.600Mbps (megabits per second), cao hơn mức 3.200Mbps.

Được biết, Samsung không hề phát triển bộ nhớ RAM DDR4 10nm class 8Gb thế hệ thứ 2 trên quy trình mới, thay vào đó hãng dựa vào công nghệ mới giúp kiểm soát lỗi hiệu quả hơn và cải tiến tối đa hiệu suất của từng cell, nhằm tăng tốc và giúp tiết kiệm năng lượng hơn.

Theo giới quan sát, Samsung trong một tương lai không xa sẽ sớm đưa vào ứng dụng chip RAM tốc độ cao thế hệ mới cho smartphone, laptop, smartwatch và những thiết bị thông minh khác.